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復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司
產(chǎn)品中心
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臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡

更新時(shí)間:2026-10-14
產(chǎn)品型號(hào):Phenom XL
所屬分類(lèi):臺(tái)式掃描電鏡
描述:傳統(tǒng) SEM 常以處理前后的靜態(tài)圖像進(jìn)行比較。Phenom XL 臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡把液相、電位、溫度和電學(xué)偏壓引入成像過(guò)程,使研究人員能夠在外部刺激作用下直接觀察材料的成核、生長(zhǎng)、重構(gòu)、退化或失效。借助 MEMS 芯片技術(shù),原位條件可在 SEM 腔體內(nèi)建立,系統(tǒng)由靜態(tài)成像工具擴(kuò)展為動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。
詳情介紹

Phenom XL 臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡

液相電化學(xué)  原位加熱  電學(xué)偏壓

面向材料動(dòng)態(tài)過(guò)程研究的臺(tái)式原位 SEM 方案,通過(guò) FireBolt 和 HydroBolt 模塊,把溫度、電壓、液相電化學(xué)條件與同一區(qū)域 SEM 圖像建立時(shí)間對(duì)應(yīng)關(guān)系。

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

Phenom XL 主機(jī)與 FireBolt、HydroBolt 原位模塊(原資料圖片)

原位能力

研究對(duì)象

關(guān)鍵價(jià)值

液相電化學(xué)

電沉積、枝晶、腐蝕與界面變化

同步關(guān)聯(lián)電化學(xué)信號(hào)與表面形貌

加熱與偏壓

納米顆粒、納米線、薄膜、二維片層等

追蹤溫度和電場(chǎng)作用下的結(jié)構(gòu)演變

跨平臺(tái)關(guān)聯(lián)

通用 Nano-Chip 樣品

連接原位 SEM 與原位 TEM 分析流程

產(chǎn)品介紹

傳統(tǒng) SEM 常以處理前后的靜態(tài)圖像進(jìn)行比較。Phenom XL 臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡把液相、電位、溫度和電學(xué)偏壓引入成像過(guò)程,使研究人員能夠在外部刺激作用下直接觀察材料的成核、生長(zhǎng)、重構(gòu)、退化或失效。借助 MEMS 芯片技術(shù),原位條件可在 SEM 腔體內(nèi)建立,系統(tǒng)由靜態(tài)成像工具擴(kuò)展為動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。

從原位 SEM 到跨尺度機(jī)制分析

Phenom XL 可先利用臺(tái)式 SEM 的易用性開(kāi)展現(xiàn)象探索,再將搭載加熱或偏壓功能的同款 Nano-Chip 轉(zhuǎn)移至 TEM 平臺(tái)。這一個(gè)流程把微米尺度的 SEM 面掃觀察,與更高分辨率的 TEM 成像及成分化學(xué)分析建立關(guān)聯(lián),同時(shí)保持樣品和控制參數(shù)的一致性。

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

MEMS 芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)原位 SEM

通用 Nano-Chip 連接原位 SEM 與原位 TEM

即插即用集成

原位模塊與 DENSsolutions Lightning、Lightning Arctic 透射電鏡樣品桿共用一致的軟件、接口與控制電子模塊。對(duì)于需要逐級(jí)深入驗(yàn)證的材料研究,可在一個(gè)連貫流程中完成原位 SEM 現(xiàn)象篩選和原位 TEM 精細(xì)表征。


 

FireBolt 原位加熱與偏壓

FireBolt 是基于 MEMS 技術(shù)的 SEM 原位加熱與偏壓平臺(tái),最多配備 8 個(gè)電接觸點(diǎn)。研究人員可在升溫、通電或兩者共同作用時(shí)連續(xù)采集 SEM 圖像,將結(jié)構(gòu)變化與溫度、電壓和時(shí)間直接關(guān)聯(lián)。

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

FireBolt 安裝于 Phenom XL 專(zhuān)用適配平臺(tái)

FireBolt 原位加熱與偏壓模塊

FireBolt 準(zhǔn)確參數(shù)

項(xiàng)目

FireBolt XL 聯(lián)用配置

原位激勵(lì)

加熱和或偏壓加載

溫度范圍

加熱芯片:室溫至 1300 °C;加熱偏壓芯片:室溫至 900 °C

電壓范圍

-10 V 至 +10 V

電接觸點(diǎn)

最多 8 個(gè)

樣品類(lèi)型

納米顆粒、納米線、薄膜、二維片層、FIB 薄片及混合塊體 FIB 薄片

關(guān)聯(lián)分析

支持加熱與偏壓 Nano-Chip 在 SEM 與 TEM 平臺(tái)間轉(zhuǎn)移

 

說(shuō)明:主機(jī)分辨率、探測(cè)器、真空系統(tǒng)等 Phenom XL 配置應(yīng)以正式產(chǎn)品配置單或技術(shù)協(xié)議為準(zhǔn);本頁(yè)僅列原資料明確給出的原位聯(lián)用參數(shù)。


 

FireBolt 場(chǎng)景應(yīng)用

應(yīng)用方向

可觀察過(guò)程

適用問(wèn)題

原位高溫

納米顆粒在升溫過(guò)程中的邊緣、表面紋理與成分襯度變化

識(shí)別退化起始溫區(qū)與結(jié)構(gòu)演變順序

納米材料燒結(jié)

顆粒融合、孔隙收縮和結(jié)構(gòu)粗化

分析燒結(jié)動(dòng)力學(xué)與形貌穩(wěn)定性

材料退化

同一區(qū)域在多個(gè)溫度節(jié)點(diǎn)的連續(xù)變化

區(qū)分形貌變化與成分襯度變化

電遷移與器件失效

電流與溫度共同作用下的結(jié)構(gòu)重構(gòu)

定位失效起點(diǎn)并關(guān)聯(lián)電學(xué)加載條件

 

實(shí)驗(yàn)案例 900 °C 下納米顆粒退化

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

Sr2FeMo0.65Ni0.35O6-δ 納米顆粒在室溫、600 °C 和 900 °C 下的 SE 與 BSE 圖像

案例要素

資料記錄

研究樣品

Sr2FeMo0.65Ni0.35O6-δ 納米顆粒

實(shí)驗(yàn)過(guò)程

在室溫、600 °C 與 900 °C 連續(xù)采集 SE 和 BSE 圖像

觀察結(jié)果

升溫過(guò)程中顆粒邊緣、表面紋理及成分襯度持續(xù)變化;900 °C 時(shí)出現(xiàn)明顯結(jié)構(gòu)退化

研究?jī)r(jià)值

同一區(qū)域多溫度節(jié)點(diǎn)對(duì)照,可判斷退化起始溫區(qū),并區(qū)分形貌變化與成分襯度變化

 


 

HydroBolt 液相電化學(xué)原位

HydroBolt 是基于 MEMS 的體相電化學(xué)樣品臺(tái),可在 Phenom XL 腔體內(nèi)開(kāi)展液相偏壓實(shí)驗(yàn)。毫升級(jí)反應(yīng)腔體內(nèi)配置真實(shí)對(duì)電極和參比電極,并結(jié)合芯片工作電極,使電化學(xué)曲線能夠與電極表面的形貌變化對(duì)應(yīng)。

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

HydroBolt 與 Phenom XL 聯(lián)用實(shí)拍

HydroBolt 體相電化學(xué)樣品臺(tái)

HydroBolt 準(zhǔn)確參數(shù)

項(xiàng)目

HydroBolt XL 聯(lián)用配置

原位激勵(lì)

液相;液相與偏壓

電極體系

三電極體系:工作電極 WE、對(duì)電極 CE、參比電極 RE

工作電極

芯片上玻碳電極

外接電極

Pt 對(duì)電極;Ag AgCl 參比電極

液相模式

靜態(tài)

溶液體系

水溶液或有機(jī)溶劑

裝配方式

支持在手套箱內(nèi)完成敏感樣品裝配

 


 

HydroBolt 場(chǎng)景應(yīng)用

應(yīng)用方向

可觀察內(nèi)容

研究?jī)r(jià)值

電沉積

不同電位和時(shí)間下的沉積形貌

將電位、時(shí)間與成核和沉積位置直接關(guān)聯(lián)

枝晶生長(zhǎng)

枝晶成核位置、生長(zhǎng)方向和關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)

為沉積機(jī)理與安全性研究提供圖像證據(jù)

電極退化與腐蝕

溶解、腐蝕和表面重構(gòu)

把電流電位變化與界面形貌變化聯(lián)系起來(lái)

電催化與燃料電池

液相條件下催化材料和膜電極組件的動(dòng)態(tài)變化

觀察更接近真實(shí)反應(yīng)條件下的界面過(guò)程

 

實(shí)驗(yàn)案例一 鋅電沉積的實(shí)時(shí)觀察

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

Pt 工作電極表面 Zn 電沉積過(guò)程:t = 0.000 s 與 t = 53.673 s 的 SEM 圖像及同步電化學(xué)響應(yīng)

案例要素

資料記錄

實(shí)驗(yàn)過(guò)程

在不同電位條件下記錄 t = 0.000 s 與 t = 53.673 s 的 SEM 圖像,并同步獲取電化學(xué)響應(yīng)

觀察結(jié)果

工作電極表面從初始平整狀態(tài)逐步形成可辨識(shí)的沉積結(jié)構(gòu),沉積位置與生長(zhǎng)時(shí)間可直接追蹤

研究?jī)r(jià)值

把電位和時(shí)間與成核位置、沉積形貌及枝晶生長(zhǎng)聯(lián)系起來(lái),為沉積機(jī)理與安全性研究提供證據(jù)

 


 

實(shí)驗(yàn)案例二 真實(shí)三電極體系與快速裝配

HydroBolt 通過(guò)芯片工作電極與外接對(duì)電極、參比電極組成三電極測(cè)量體系。密封結(jié)構(gòu)可快速組裝,并支持在手套箱內(nèi)完成空氣敏感樣品裝配。

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

臺(tái)式原位掃描電子顯微鏡 

外接 Pt 對(duì)電極和 Ag AgCl 參比電極的裝配實(shí)拍

片上電極方案與真實(shí)三電極方案的電化學(xué)曲線對(duì)比(原資料圖)

項(xiàng)目

資料描述

電極體系

芯片工作電極配合外接 Pt 對(duì)電極和 Ag AgCl 參比電極,支持真實(shí)三電極測(cè)量

裝配方式

密封結(jié)構(gòu)可快速組裝,并支持在手套箱中完成空氣敏感樣品裝配

研究?jī)r(jià)值

相較僅使用片上電極的方案,可降低電位漂移風(fēng)險(xiǎn),并便于開(kāi)展更接近真實(shí)工況的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)

 

推薦實(shí)驗(yàn)流程

·       明確外部刺激:根據(jù)問(wèn)題選擇加熱、偏壓、液相或液相加偏壓。

·       確定時(shí)間與條件節(jié)點(diǎn):預(yù)設(shè)溫度、電位和成像時(shí)間點(diǎn),保證同一區(qū)域可重復(fù)復(fù)訪。

·       同步記錄:連續(xù)采集 SEM 圖像,并記錄溫度、電壓或電化學(xué)響應(yīng)。

·       建立關(guān)聯(lián):比較同一區(qū)域在各條件節(jié)點(diǎn)的形貌、襯度和界面變化。

·       需要時(shí)跨平臺(tái)深入分析:使用通用 Nano-Chip 將樣品轉(zhuǎn)移至 TEM 平臺(tái)開(kāi)展進(jìn)一步表征。


 

常見(jiàn)問(wèn)題

Q1  Phenom XL 原位掃描電鏡適合研究哪些動(dòng)態(tài)過(guò)程?

答:適合觀察材料在加熱、偏壓或液相電化學(xué)條件下發(fā)生的成核、生長(zhǎng)、燒結(jié)、重構(gòu)、退化、腐蝕、枝晶生長(zhǎng)和器件失效等過(guò)程。

Q2  FireBolt 可以同時(shí)進(jìn)行加熱和偏壓?jiǎn)幔?/span>

答:可以。資料明確說(shuō)明 FireBolt 支持加熱和或偏壓加載。加熱芯片溫度范圍為室溫至 1300 °C;加熱偏壓芯片為室溫至 900 °C。

Q3  FireBolt 的電壓和電接觸能力是多少?

答:電壓范圍為 -10 V 至 +10 V,最多提供 8 個(gè)電接觸點(diǎn)。

Q4  HydroBolt 使用什么電極體系?

答:HydroBolt 使用三電極體系,包括芯片上玻碳工作電極、外接 Pt 對(duì)電極和 Ag AgCl 參比電極。

Q5  HydroBolt 能使用哪些液體?

答:資料列出的溶液體系為水溶液或有機(jī)溶劑,液相模式為靜態(tài)。具體溶液與材料兼容性應(yīng)在實(shí)驗(yàn)前按正式技術(shù)要求確認(rèn)。

Q6  空氣敏感樣品能否裝配?

答:HydroBolt 支持在手套箱內(nèi)完成敏感樣品裝配。

Q7  能否把原位 SEM 結(jié)果與 TEM 結(jié)果關(guān)聯(lián)?

答:可以。通用 Nano-Chip 支持加熱與偏壓樣品在 SEM 與 TEM 平臺(tái)之間轉(zhuǎn)移,用于跨尺度關(guān)聯(lián)分析。

Q8  這份產(chǎn)品頁(yè)為什么沒(méi)有列出 Phenom XL 主機(jī)分辨率等參數(shù)?

答:原資料未提供主機(jī)分辨率、探測(cè)器和真空系統(tǒng)等具體配置。相關(guān)主機(jī)參數(shù)應(yīng)以正式配置單或技術(shù)協(xié)議為準(zhǔn),以避免不同配置之間的信息混用。

發(fā)布與選型說(shuō)明

本產(chǎn)品詳情中的 FireBolt、HydroBolt 參數(shù)和案例均來(lái)自所提供資料。涉及 Phenom XL 主機(jī)具體配置、可選探測(cè)器、軟件版本、樣品尺寸限制及現(xiàn)場(chǎng)安裝條件時(shí),應(yīng)以供應(yīng)商正式配置單、技術(shù)協(xié)議和最新產(chǎn)品文件為準(zhǔn)。

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